| 業(yè)內(nèi)稱三星3nm G存在漏電等關(guān)鍵技術(shù)問題[] |
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據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露，三星電子的3nmGAA工藝目前仍面臨著漏電等關(guān)鍵技術(shù)問題，消息人士稱，該工藝在性能和成本方面可能也不如臺積電的3nmFinFET工藝。
據(jù)《電子時報》報道，上述人士表示，三星可能最早于2022年將其3nmGAA工藝量產(chǎn)，但由于成本高和性能不理想，可能無法吸引到臺積電3nmFinFET工藝所獲得的客戶，后者據(jù)稱已經(jīng)獲得了蘋果和英特爾的訂單。
臺積電有望在2022年下半年將其3nmFinFET工藝推向量產(chǎn)，CEO魏哲家在最近的財報會議上表示，“N3將是我們N5的另一個全面擴展，并將采用FinFET晶體管結(jié)構(gòu)，為我們的客戶提供最佳的技術(shù)成熟度、性能和成本。”
在失去蘋果iPhone處理器訂單后，三星在尖端芯片競爭中落后于臺積電。據(jù)市場觀察人士稱，從蘋果手中奪回訂單將是這家韓國供應(yīng)商贏得3nm競爭的關(guān)鍵。 |
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