原子層沉積技術以精準控制薄層厚度，均勻性，保型性而著稱，廣泛應用于集成電路(IC)行業，它使得電子器件持續微型化成為可能，逐漸成為了微電子器件制造，半導體領域的必要技術。例如用于制備品體管柵堆垛、刻蝕終止層。
緊湊型原子層沉積系統，系統為全自動的安全互鎖設計，并提供了強大的靈活性，可以用于沉積多種薄膜。(可沉積氧的化物: HfO2，AI203,TiO2,Si02ZnO, Ta20等;氮化物:TiN,Si3N4等;)。
應用領域包含半導體、光伏、MEMS等。帶有加熱腔壁及屏蔽層，非常方便腔體的清潔。該系統擁有一個載氣艙包含4個50ml的加熱源，用于前驅體以及反應物，同時帶有N2作為運載氣體的快脈沖加熱傳輸閥。
ALD原子層沉積設備特點：
·不均勻性低于1%；
·陽極氧化鋁腔體；
·小反應腔體容積確保快速的循環時間并提高質量；
·最大可支持4英寸的基片；
·最多支持4路50cc/100cc前驅體源；
·高深寬比結構的保形生長； 
|
