SIC單晶爐是針對碳化硅單晶生長專用工藝設備，也可用于氮化鋁的單品生長工藝。
SIC單晶爐設備特點：
設備采用高頻電源感應加熱、水冷感應線圈，水冷箱及高溫密封，并具備對生長室內的高真空度進行檢測、溫度的精確測量、加熱過程的程序化控制，石墨坩堝與感應加熱線圈之間相對位置的調節以及Ar等多種氣體的定量定壓供給等功能，使設備在冷卻、隔熱和抗電磁輻射等方面有著非常好的效果；
設備為晶體生長提供一個理想的工藝環境條件，保證SiC晶體的穩定生長；
設備可以有效的避免加熱裝置對晶體的污染，同時也相對增加了工作空間。
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