| 應用材料公司新技術助力碳化硅芯片制造商加速 |
| 來源: | 發(fā)布時間:1632114231 | 瀏覽次數(shù)：
|
·作為全球最佳電動車動力系統(tǒng)的核心器件，碳化硅芯片正向更大的200毫米晶圓轉型，通過加速產出以滿足全球日益增長的需求·應用材料公司全新的200毫米化學機械平坦化（CMP）系統(tǒng)能夠從晶圓上精確去除碳化硅材料，從而最大程度提升芯片性能、可靠性和良率·應用材料公司全新的碳化硅芯片“熱注入”技術在注入離子的同時，能夠把對晶體結構的破壞降到最低，從而最大程度提升發(fā)電量和器件良率
2021年9月8日，加利福尼亞州圣克拉拉——應用材料公司今日宣布推出多項全新產品以幫助世界領先的碳化硅(以下簡稱SiC)芯片制造商從150毫米晶圓量產轉向200毫米晶圓量產，使每個晶圓的芯片數(shù)產出近乎翻倍，可滿足全球對于卓越的電動車動力系統(tǒng)日益增長的需求。
SiC電力半導體能夠將電池電量高效轉化為扭力，從而提升車輛性能并增大里程范圍，因此需求旺盛。SiC的固有特性使其比硅更堅硬，但也存在自然缺陷，可能導致電性能、電源效率、可靠性和良率的降低。因此需要通過先進的材料工程來對未經加工的晶圓進行優(yōu)化方可量產，并在保證盡可能減少晶格破壞的前提下構建電路。
應用材料公司集團副總裁、ICAPS事業(yè)部總經理SundarRamamurthy表示：“為了助力計算機革新，芯片制造商轉而將希望寄托于不斷擴大晶圓尺寸，通過顯著增加芯片產出來滿足增長迅速的全球需求?，F(xiàn)如今，又一波革新初露端倪，這些革新將受益于應用材料公司在工業(yè)規(guī)模下材料工程領域的專業(yè)知識?！?BR>
Cree公司總裁兼CEOGreggLowe表示：“交通運輸業(yè)的電氣化勢頭迅猛，借助Wolfspeed技術，我們將能夠藉此拐點領導全球加速從硅向碳化硅轉型。通過在更大的200毫米晶圓上交付最高性能的碳化硅電源器件，我們得以提升終端客戶價值，滿足日趨增長的需求?！?BR>
Lowe還說道：“應用材料公司的支持將有助于加速我們在奧爾巴尼的200毫米工藝制程的技術驗證，我們的莫霍克谷晶圓廠的多項設備安裝也在緊鑼密鼓進行中，兩者助力之下，轉型進展迅速。不僅如此，應用材料公司的ICAPS團隊眼下正在開發(fā)熱注入等多項新技術，拓寬并深化了我們之間的技術協(xié)作，使我們的電力技術路線圖得以快速發(fā)展?！?BR>
全新200毫米SiCCMP系統(tǒng)
SiC晶圓表面質量對于SiC器件制造至關重要，因為晶圓表面的任何缺陷都將傳遞至后續(xù)各層次。為了量產具有最高質量表面的均勻晶圓，應用材料公司開發(fā)了Mirra®Durum™CMP*系統(tǒng)，此系統(tǒng)將拋光、材料去除測量、清洗和干燥整合到同一個系統(tǒng)內。這一新系統(tǒng)生產的成品晶圓表面粗糙度僅為機械減薄SiC晶圓的五十分之一，是批式CMP工藝系統(tǒng)的粗糙度的三分之一。
為助力行業(yè)向200毫米大尺寸晶圓轉型，應用材料公司發(fā)布了全新的Mirra®Durum™CMP系統(tǒng)，
它集成拋光、材料去除測量、清洗和干燥于一身，可量產具有極高質量表面的均勻晶圓
熱注入提升SiC芯片性能和電源效率
在SiC芯片制造期間，離子注入在材料內加入摻雜劑，以幫助支持并引導大電流電路內的電流流動。由于SiC材料的密度和硬度，要進行摻雜劑的注入、精確布局和活化的難度非常之大，同時還要最大程度降低對晶格的破壞，避免性能和電源效率的降低。應用材料公司通過其全新的VIISta®9003D熱離子注入系統(tǒng)為150毫米和200毫米SiC晶圓破解了這一難題。這項熱注入技術在注入離子的同時，能夠將對晶格結構的破壞降到最低，產生的電阻率僅為室溫下注入的四十分之一。
應用材料公司全新VIISta®9003D熱離子注入系統(tǒng)可向200毫米和150毫米碳化硅晶圓注入和擴散離子，
產生的電阻率僅為室溫下注入的四十分之一 |
|
