臺媒:芯片制造商擬提高QL NND產量[] |
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據業內消息人士透露,由于個人電腦(PC)和數據中心的需求強勁,全球主要的NAND閃存供應商準備在今年年底至2022年之間提高QLCNAND產量。 digitimes報道指出,消息人士稱,隨著OEM越來越多地在其產品中采用QLCSSD,芯片供應商將增加用于PC的QLCNAND產量。與此同時,數據中心應用的QLCNAND需求前景廣闊,這也鼓勵了主要芯片供應商加強在該領域的部署。 從各大廠商的動作來看,英特爾已經推出了面向企業存儲應用的144層QLC固態硬盤系列產品,并于今年上半年開始面向數據中心應用出貨。英特爾采用浮柵技術制造的QLCNAND依然是該領域的領導者。 美光已將其176層TLCNAND的生產良率提高到相當可觀的水平,同時計劃在今年年底推出176層QLCNAND。 三星電子已進入176層V-NAND的客戶驗證階段,并已啟動200層以上3DNAND的開發。另外,鎧俠和西部數據也將在2022年開始量產QLCNAND。 |
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